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一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511309020.1
申请日：
2025-09-15
公开(公告)号：
CN120813014B
公开(公告)日：
2025-12-23
发明(设计)人：
许一力
李鑫
杨琦
申请人：
杭州清芯微电子有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼8309室（自主申报）
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01
H10D62/10
H10D62/832
代理机构：
北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380
代理人：
刘加龙
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-23 | 授权 | 授权 |
| 2025-11-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250915 |
| 2025-10-17 | 公开 | 公开 |