共 50 条
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一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411944221.4
申请日：
2024-12-27
公开(公告)号：
CN119384023A
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
许一力
李鑫
刘倩倩
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D30/63
H10D30/01
H01L23/552
代理机构：
深圳市励知致远知识产权代理有限公司 44795
代理人：
林泓泽
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-01-28 | 公开 | 公开 |
| 2025-02-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20241227 |
| 2025-11-14 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H10D 62/10申请公布日:20250128 |