学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种高压SiC MOSFET栅下抗辐射加固结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411392988.0
申请日：
2024-10-08
公开(公告)号：
CN119451178A
公开(公告)日：
2025-02-14
发明(设计)人：
张旭芳 李明坤 焦硕沛 张雪恰 张静
申请人：
北方工业大学
申请人地址：
100144 北京市石景山区晋元庄路5号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/83 H10D62/17
代理机构：
北京仟方秉知识产权代理事务所(普通合伙) 16241
代理人：
余文
法律状态：
公开
国省代码：
北京市 市辖区
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-14 公开 公开
2025-03-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20241008
共 50 条
[1]
一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119384023A ,2025-01-28
[2]
一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法 [P]. 
梁世维 ;
王俊 ;
米卢 ;
陈家祺 .
中国专利 :CN119364804B ,2025-05-20
[3]
一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法 [P]. 
梁世维 ;
王俊 ;
米卢 ;
陈家祺 .
中国专利 :CN119364804A ,2025-01-24
[4]
一种提升单粒子辐射复合效率的SiC MOSFET器件 [P]. 
张旭芳 ;
焦硕沛 ;
李明坤 ;
张雪恰 ;
张静 .
中国专利 :CN119403178A ,2025-02-07
[5]
一种抗辐射加固高压MOSFET器件 [P]. 
李燕妃 ;
孙家林 ;
王蕾 ;
丁兵 ;
吴建伟 ;
洪根深 ;
贺琪 .
中国专利 :CN114005813B ,2024-08-09
[6]
一种抗辐射加固高压MOSFET器件 [P]. 
李燕妃 ;
孙家林 ;
王蕾 ;
丁兵 ;
吴建伟 ;
洪根深 ;
贺琪 .
中国专利 :CN114005813A ,2022-02-01
[7]
一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法 [P]. 
许一力 .
中国专利 :CN119208394B ,2025-03-14
[8]
一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法 [P]. 
许一力 .
中国专利 :CN119208394A ,2024-12-27
[9]
一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件结构及制备方法 [P]. 
梁世维 ;
王俊 ;
杨余 ;
俞恒裕 ;
陈炳如 ;
张锦奕 .
中国专利 :CN114388621B ,2025-04-18
[10]
一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法 [P]. 
梁世维 ;
陈家祺 ;
王俊 .
中国专利 :CN119170647B ,2025-07-25
12345