一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411298833.0

申请日：

2024-09-14

公开(公告)号：

CN119170647B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

梁世维陈家祺王俊

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410006 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H01L23/552 H10D30/01

代理机构：

广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326

代理人：

刘新年

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权
2024-12-20	公开	公开
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240914

共 50 条

[1]

一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法 [P].

梁世维 ;

陈家祺 ;

王俊 .

中国专利 :CN119170647A ,2024-12-20

[2]

一种异质集成N阱的碳化硅MOSFET结构及其制备方法 [P].

梁世维 ;

陈家祺 ;

王俊 .

中国专利 :CN119170644A ,2024-12-20

[3]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

钟晓伟 .

中国专利 :CN109585564A ,2019-04-05

[4]

一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法 [P].

许一力 .

中国专利 :CN119208394A ,2024-12-27

[5]

一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构及其制备方法 [P].

许一力 .

中国专利 :CN119208394B ,2025-03-14

[6]

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

罗伟霞 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

田琰 ;

李晨萌 ;

崔翔 ;

李哲洋 ;

王鑫 ;

李宾宾 .

中国专利 :CN117393609A ,2024-01-12

[7]

一种碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114899239A ,2022-08-12

[8]

一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET [P].

牛喜平 ;

魏晓光 ;

汤广福 ;

安运来 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

刘瑞 ;

杜泽晨 ;

李晨萌 ;

杨霏 .

中国专利 :CN117832088A ,2024-04-05

[9]

碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117673158A ,2024-03-08

[10]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

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