学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510381125.1
申请日：
2025-03-28
公开(公告)号：
CN119907274A
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
许一力 李鑫 刘倩倩
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/83 H10D62/10 H10D64/00
代理机构：
北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380
代理人：
刘加龙
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省 杭州市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250328
2025-07-18 授权 授权
2025-04-29 公开 公开
共 50 条
[1]
一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119907274B ,2025-07-18
[2]
一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120813014B ,2025-12-23
[3]
一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120813014A ,2025-10-17
[4]
一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119866038B ,2025-07-01
[5]
一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120640743A ,2025-09-12
[6]
一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120640743B ,2025-11-14
[7]
一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119866038A ,2025-04-22
[8]
高密度MOSFET阵列及其制备方法 [P]. 
李亦衡 ;
金钟五 ;
常虹 .
中国专利 :CN104051461A ,2014-09-17
[9]
一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119384023A ,2025-01-28
[10]
集成渐变应变条阵列的SiC VDMOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120825996B ,2025-12-23
12345