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一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510347573.X
申请日：
2025-03-24
公开(公告)号：
CN119866038A
公开(公告)日：
2025-04-22
发明(设计)人：
许一力 李鑫 刘倩倩
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380
代理人：
刘加龙
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250324
2025-04-22 公开 公开
2025-07-01 授权 授权
共 50 条
[1]
一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119866038B ,2025-07-01
[2]
一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120813014B ,2025-12-23
[3]
一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120813014A ,2025-10-17
[4]
一种双槽小尺寸SiC MOSFET器件结构及其制备方法 [P]. 
张旭芳 ;
鲁世豪 ;
王士超 ;
李明坤 ;
焦硕沛 ;
张静 .
中国专利 :CN119855193A ,2025-04-18
[5]
一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120640743A ,2025-09-12
[6]
一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120640743B ,2025-11-14
[7]
一种具有高迁移率栅氧层的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120500086B ,2025-11-07
[8]
一种具有高迁移率栅氧层的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120500086A ,2025-08-15
[9]
一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119384023A ,2025-01-28
[10]
一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119907274A ,2025-04-29
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