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一种双槽小尺寸SiC MOSFET器件结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510016025.9
申请日：
2025-01-06
公开(公告)号：
CN119855193A
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
张旭芳 鲁世豪 王士超 李明坤 焦硕沛 张静
申请人：
北方工业大学
申请人地址：
100144 北京市石景山区区晋元庄路5号
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D64/62 H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
北京仟方秉知识产权代理事务所(普通合伙) 16241
代理人：
余文
法律状态：
公开
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-18 公开 公开
2025-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250106
共 50 条
[1]
一种防过冲高速开关双槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
张旭芳 ;
王士超 ;
鲁世豪 ;
李明坤 ;
焦硕沛 ;
张静 .
中国专利 :CN120091600A ,2025-06-03
[2]
一种高速开关双槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
张旭芳 ;
焦硕沛 ;
李明坤 ;
张雪恰 ;
张静 .
中国专利 :CN120264816A ,2025-07-04
[3]
一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119866038B ,2025-07-01
[4]
一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119866038A ,2025-04-22
[5]
一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN119384023A ,2025-01-28
[6]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱洋洋 ;
张朝阳 ;
陈桥梁 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN120583704B ,2025-10-24
[7]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱洋洋 ;
张朝阳 ;
陈桥梁 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN120583704A ,2025-09-02
[8]
一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN120358781A ,2025-07-22
[9]
一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120882051A ,2025-10-31
[10]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
郭亮良 .
中国专利 :CN115547832A ,2022-12-30
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