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一种SiC MOSFET器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511074849.8
申请日：
2025-08-01
公开(公告)号：
CN120583704B
公开(公告)日：
2025-10-24
发明(设计)人：
朱洋洋 张朝阳 陈桥梁 徐西昌
申请人：
旭矽半导体（上海）有限公司
申请人地址：
201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区申江路5005弄3号3层01单元
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D62/832 H10D30/01 H10D64/27
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
王萌
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-02 公开 公开
2025-09-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250801
2025-10-24 授权 授权
共 50 条
[1]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱洋洋 ;
张朝阳 ;
陈桥梁 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN120583704A ,2025-09-02
[2]
一种SiC MOSFET器件及SiC MOSFET器件的制备方法 [P]. 
韩小朋 ;
周家驹 ;
柴利林 .
中国专利 :CN117810262A ,2024-04-02
[3]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
郭亮良 .
中国专利 :CN115547832A ,2022-12-30
[4]
一种SIC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱洋洋 ;
张朝阳 ;
陈桥梁 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN119698041A ,2025-03-25
[5]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
郭亮良 .
中国专利 :CN115547833A ,2022-12-30
[6]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
邱艳丽 ;
孙博韬 ;
徐妙玲 ;
林信南 ;
张晨 ;
修德琦 ;
韩丽楠 .
中国专利 :CN116344588B ,2025-08-22
[7]
一种SiC MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
刘馥 .
中国专利 :CN115565884A ,2023-01-03
[8]
一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
徐守一 ;
蔡铭进 ;
李贤杰 .
中国专利 :CN117747668A ,2024-03-22
[9]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
胡彦飞 ;
张鑫鑫 ;
党悦心 ;
杨宏 ;
马云诚 .
中国专利 :CN119630032A ,2025-03-14
[10]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
盛况 ;
任娜 ;
冉飞荣 ;
沈华 ;
刘志红 .
中国专利 :CN115241282B ,2023-01-10
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