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一种SiC MOSFET器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411531388.8
申请日：
2024-10-30
公开(公告)号：
CN119630032A
公开(公告)日：
2025-03-14
发明(设计)人：
胡彦飞 张鑫鑫 党悦心 杨宏 马云诚
申请人：
西安电子科技大学
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/83 H01L23/367 H01L23/373 H01L21/48
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
勾慧敏
法律状态：
公开
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-14 公开 公开
2025-04-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20241030
共 50 条
[1]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
王谦 ;
刘昊 ;
田亮 ;
施俊 .
中国专利 :CN113571584A ,2021-10-29
[2]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
任炜强 ;
春山正光 ;
谢文华 ;
杨正友 .
中国专利 :CN113764514B ,2025-04-04
[3]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
任炜强 ;
春山正光 ;
谢文华 ;
杨正友 .
中国专利 :CN113764514A ,2021-12-07
[4]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱郑允 ;
高明阳 ;
王谦 ;
刘箭 ;
王凯 ;
刘立业 ;
骆健 .
中国专利 :CN119403187A ,2025-02-07
[5]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
盛况 ;
任娜 ;
冉飞荣 ;
沈华 ;
刘志红 .
中国专利 :CN115241282B ,2023-01-10
[6]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱洋洋 ;
张朝阳 ;
陈桥梁 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN120583704B ,2025-10-24
[7]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
任炜强 ;
春山正光 ;
谢文华 ;
杨正友 .
中国专利 :CN113823674A ,2021-12-21
[8]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
朱洋洋 ;
张朝阳 ;
陈桥梁 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN120583704A ,2025-09-02
[9]
一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
任炜强 ;
春山正光 ;
谢文华 ;
杨正友 .
中国专利 :CN113823674B ,2025-04-08
[10]
一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
沈培 ;
于文康 ;
吴简秋 ;
汪琪 .
中国专利 :CN121038326A ,2025-11-28
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