一种SiC MOSFET器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211166305.0

申请日：

2022-09-23

公开(公告)号：

CN115241282B

公开(公告)日：

2023-01-10

发明(设计)人：

盛况任娜冉飞荣沈华刘志红

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区建设三路733号

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289

代理人：

王榧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20220923
2023-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡彦飞 ;

张鑫鑫 ;

党悦心 ;

杨宏 ;

马云诚 .

中国专利 :CN119630032A ,2025-03-14

[2]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN120583704B ,2025-10-24

[3]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN120583704A ,2025-09-02

[4]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

王谦 ;

刘昊 ;

田亮 ;

施俊 .

中国专利 :CN113571584A ,2021-10-29

[5]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN113764514B ,2025-04-04

[6]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN113764514A ,2021-12-07

[7]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

刘箭 ;

王凯 ;

刘立业 ;

骆健 .

中国专利 :CN119403187A ,2025-02-07

[8]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

郭亮良 .

中国专利 :CN115547832A ,2022-12-30

[9]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

郑文韬 ;

雷鸣 .

中国专利 :CN119584613A ,2025-03-07

[10]

一种SIC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN119698041A ,2025-03-25

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