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一种SIC MOSFET器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510213656.X
申请日：
2025-02-26
公开(公告)号：
CN119698041A
公开(公告)日：
2025-03-25
发明(设计)人：
朱洋洋
张朝阳
陈桥梁
徐西昌
申请人：
旭矽半导体（上海）有限公司
申请人地址：
201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区申江路5005弄3号3层01单元
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10
H10D30/01
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
田孟敏
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-12-30 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H10D 30/66申请公布日:20250325 |
| 2025-04-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250226 |