一种SiC MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111152374.1

申请日：

2021-09-29

公开(公告)号：

CN113764514A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

任炜强春山正光谢文华杨正友

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L2916 H01L29423 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

朱鹏程

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210929
2021-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN113764514B ,2025-04-04

[2]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN113823674A ,2021-12-21

[3]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN113823674B ,2025-04-08

[4]

一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

沈培 ;

于文康 ;

吴简秋 ;

汪琪 .

中国专利 :CN121038326A ,2025-11-28

[5]

一种SiC MOSFET器件 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN215933612U ,2022-03-01

[6]

一种SiC MOSFET器件 [P].

任炜强 ;

春山正光 ;

谢文华 ;

杨正友 .

中国专利 :CN215933613U ,2022-03-01

[7]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

王谦 ;

刘昊 ;

田亮 ;

施俊 .

中国专利 :CN113571584A ,2021-10-29

[8]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

刘箭 ;

王凯 ;

刘立业 ;

骆健 .

中国专利 :CN119403187A ,2025-02-07

[9]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡彦飞 ;

张鑫鑫 ;

党悦心 ;

杨宏 ;

马云诚 .

中国专利 :CN119630032A ,2025-03-14

[10]

一种SIC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN119698041A ,2025-03-25

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