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一种SiC MOSFET器件及其制造方法
被引：0
申请号：
CN202211335655.5
申请日：
2022-10-28
公开(公告)号：
CN115565884A
公开(公告)日：
2023-01-03
发明(设计)人：
刘馥
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市高新区创业大道9号林隐天下25幢18层11811室
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2906
H01L2910
H01L2978
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
双瑞晨
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-01-03 | 公开 | 公开 |
| 2023-01-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20221028 |