一种SiC MOSFET器件元胞及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011138568.1

申请日：

2020-10-22

公开(公告)号：

CN112086507A

公开(公告)日：

2020-12-15

发明(设计)人：

易波伍争魏文静张千向勇

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229

代理人：

李蕊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-15	公开	公开
2023-01-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20201215
2021-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201022

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘馥 .

中国专利 :CN115565884A ,2023-01-03

[2]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116031160B ,2025-11-21

[3]

一种SiC MOSFET器件结构及其制造方法 [P].

徐守一 ;

涂国华 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN117613096A ,2024-02-27

[4]

一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

张腾 ;

柏松 ;

黄润华 .

中国专利 :CN115148820A ,2022-10-04

[5]

一种沟槽SiC MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10

[6]

一种高阈值SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN114530504A ,2022-05-24

[7]

一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN114628525A ,2022-06-14

[8]

一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN111816708A ,2020-10-23

[9]

一种SiC MOSFET器件的制造方法 [P].

李翔 ;

谢志平 ;

王珏 .

中国专利 :CN117438317A ,2024-01-23

[10]

一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

田亮 ;

张清纯 .

中国专利 :CN120813010A ,2025-10-17

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