一种沟槽SiC MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422072731.9

申请日：

2024-08-26

公开(公告)号：

CN222967308U

公开(公告)日：

2025-06-10

发明(设计)人：

王正杨程裘俊庆王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27 H10D62/832 H10D30/65

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582B ,2025-09-19

[2]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582A ,2022-09-23

[3]

一种SiC沟槽MOSFET器件 [P].

陈凯 ;

陈周宇 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN222442147U ,2025-02-07

[4]

一种双沟槽SiC MOSFET器件 [P].

李明玥 ;

刘东 ;

鲁啸龙 ;

卢山 ;

欧阳杰 ;

廖云滔 ;

彭莉莎 ;

胡夏融 .

中国专利 :CN115528090A ,2022-12-27

[5]

一种具有双栅极沟槽的SiC MOSFET器件 [P].

马鸿铭 ;

钟炜 ;

王哲 .

中国专利 :CN222602900U ,2025-03-11

[6]

一种微沟槽SiC MOSFET器件及制备方法 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN119050149A ,2024-11-29

[7]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232B ,2025-10-17

[8]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232A ,2024-09-27

[9]

一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

张腾 ;

柏松 ;

黄润华 .

中国专利 :CN115148820A ,2022-10-04

[10]

一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

田亮 ;

张清纯 .

中国专利 :CN120813010A ,2025-10-17

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