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一种沟槽型SiC MOSFET器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410833732.2
申请日：
2024-06-26
公开(公告)号：
CN118712232B
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
陈伟铭 陈石川 范元亮 李泽文 黄兴华 林建利 李凌斐 王健 张延辉 朱郑允 高明阳 王谦 骆健
申请人：
国网福建省电力有限公司电力科学研究院 国网福建省电力有限公司 南京南瑞半导体有限公司
申请人地址：
350007 福建省福州市仓山区复园支路48号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10
代理机构：
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人：
张灯灿;蔡学俊
法律状态：
授权
国省代码：
福建省 福州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-17 授权 授权
2024-10-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240626
2024-09-27 公开 公开
共 50 条
[1]
一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P]. 
陈伟铭 ;
陈石川 ;
范元亮 ;
李泽文 ;
黄兴华 ;
林建利 ;
李凌斐 ;
王健 ;
张延辉 ;
朱郑允 ;
高明阳 ;
王谦 ;
骆健 .
中国专利 :CN118712232A ,2024-09-27
[2]
一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P]. 
任敏 ;
周春颖 ;
李曦 ;
梁世琦 ;
李泽宏 ;
张波 .
中国专利 :CN115101582B ,2025-09-19
[3]
一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P]. 
任敏 ;
周春颖 ;
李曦 ;
梁世琦 ;
李泽宏 ;
张波 .
中国专利 :CN115101582A ,2022-09-23
[4]
一种SiC MOSFET器件 [P]. 
陈伟铭 ;
陈石川 ;
范元亮 ;
李泽文 ;
黄兴华 ;
林建利 ;
李凌斐 ;
王健 ;
张延辉 ;
朱郑允 ;
高明阳 ;
王谦 ;
骆健 .
中国专利 :CN118712233A ,2024-09-27
[5]
一种沟槽SiC MOSFET器件 [P]. 
王正 ;
杨程 ;
裘俊庆 ;
王毅 .
中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10
[6]
一种SiC沟槽MOSFET器件 [P]. 
陈凯 ;
陈周宇 ;
吴贤勇 .
中国专利 :CN222442147U ,2025-02-07
[7]
一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
田亮 ;
张清纯 .
中国专利 :CN120813010A ,2025-10-17
[8]
一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
高明阳 ;
王谦 ;
仇坤 ;
刘箭 ;
王凯 ;
刘立业 ;
骆健 .
中国专利 :CN117650178A ,2024-03-05
[9]
一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
王谦 ;
刘昊 ;
田亮 ;
施俊 .
中国专利 :CN113488542A ,2021-10-08
[10]
一种沟槽型MOSFET器件 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN213212168U ,2021-05-14
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