一种沟槽型SiC MOSFET器件

被引：0

申请号：

CN202210760471.7

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115101582A

公开(公告)日：

2022-09-23

发明(设计)人：

任敏周春颖李曦梁世琦李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916 H01L29423 H01L2945 H01L2978

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582B ,2025-09-19

[2]

一种沟槽SiC MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10

[3]

一种SiC沟槽MOSFET器件 [P].

陈凯 ;

陈周宇 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN222442147U ,2025-02-07

[4]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232B ,2025-10-17

[5]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232A ,2024-09-27

[6]

一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

陈子珣 ;

涂元元 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN111697077B ,2020-09-22

[7]

一种沟槽门型叠栅SiC MOSFET器件 [P].

陈伟中 ;

许峰 ;

秦海峰 ;

王礼祥 ;

黄义 .

中国专利 :CN113140636A ,2021-07-20

[8]

一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

田亮 ;

张清纯 .

中国专利 :CN120813010A ,2025-10-17

[9]

一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN114628525A ,2022-06-14

[10]

一种具有双栅极沟槽的SiC MOSFET器件 [P].

马鸿铭 ;

钟炜 ;

王哲 .

中国专利 :CN222602900U ,2025-03-11

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