一种沟槽门型叠栅SiC MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110425869.0

申请日：

2021-04-20

公开(公告)号：

CN113140636A

公开(公告)日：

2021-07-20

发明(设计)人：

陈伟中许峰秦海峰王礼祥黄义

申请人：

申请人地址：

400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

赵荣之

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210420
2021-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582B ,2025-09-19

[2]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582A ,2022-09-23

[3]

一种沟槽SiC MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10

[4]

一种SiC沟槽MOSFET器件 [P].

陈凯 ;

陈周宇 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN222442147U ,2025-02-07

[5]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232B ,2025-10-17

[6]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232A ,2024-09-27

[7]

沟槽栅SiC MOSFET器件结构及制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

孙国臻 ;

安原 .

中国专利 :CN117457739A ,2024-01-26

[8]

一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

陈子珣 ;

涂元元 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN111697077B ,2020-09-22

[9]

SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及SiC MOSFET器件 [P].

郑昌伟 ;

刘坤 ;

施剑华 ;

焦莎莎 ;

刘启军 ;

丁杰钦 ;

赵艳黎 ;

周正东 .

中国专利 :CN113054014A ,2021-06-29

[10]

一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN114628525A ,2022-06-14

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