一种沟槽型SiC MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410833732.2

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN118712232A

公开(公告)日：

2024-09-27

发明(设计)人：

陈伟铭陈石川范元亮李泽文黄兴华林建利李凌斐王健张延辉朱郑允高明阳王谦骆健

申请人：

国网福建省电力有限公司电力科学研究院国网福建省电力有限公司南京南瑞半导体有限公司

申请人地址：

350007 福建省福州市仓山区复园支路48号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

张灯灿;蔡学俊

法律状态：

授权

国省代码：

福建省福州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2024-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240626
2024-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712232B ,2025-10-17

[2]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582B ,2025-09-19

[3]

一种沟槽型SiC MOSFET器件 [P].

任敏 ;

周春颖 ;

李曦 ;

梁世琦 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN115101582A ,2022-09-23

[4]

一种SiC MOSFET器件 [P].

陈伟铭 ;

陈石川 ;

范元亮 ;

李泽文 ;

黄兴华 ;

林建利 ;

李凌斐 ;

王健 ;

张延辉 ;

朱郑允 ;

高明阳 ;

王谦 ;

骆健 .

中国专利 :CN118712233A ,2024-09-27

[5]

一种沟槽SiC MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10

[6]

一种SiC沟槽MOSFET器件 [P].

陈凯 ;

陈周宇 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN222442147U ,2025-02-07

[7]

一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

田亮 ;

张清纯 .

中国专利 :CN120813010A ,2025-10-17

[8]

一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

高明阳 ;

王谦 ;

仇坤 ;

刘箭 ;

王凯 ;

刘立业 ;

骆健 .

中国专利 :CN117650178A ,2024-03-05

[9]

一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

王谦 ;

刘昊 ;

田亮 ;

施俊 .

中国专利 :CN113488542A ,2021-10-08

[10]

一种沟槽型MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213212168U ,2021-05-14

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