一种微沟槽SiC MOSFET器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411176622.X

申请日：

2024-08-26

公开(公告)号：

CN119050149A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

王正杨程裘俊庆王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240826
2024-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽SiC MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10

[2]

一种SiC MOSFET器件及SiC MOSFET器件的制备方法 [P].

韩小朋 ;

周家驹 ;

柴利林 .

中国专利 :CN117810262A ,2024-04-02

[3]

SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及SiC MOSFET器件 [P].

郑昌伟 ;

刘坤 ;

施剑华 ;

焦莎莎 ;

刘启军 ;

丁杰钦 ;

赵艳黎 ;

周正东 .

中国专利 :CN113054014A ,2021-06-29

[4]

一种双沟槽型的SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱秀梅 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN118800784A ,2024-10-18

[5]

一种双沟槽SiC MOSFET器件 [P].

李明玥 ;

刘东 ;

鲁啸龙 ;

卢山 ;

欧阳杰 ;

廖云滔 ;

彭莉莎 ;

胡夏融 .

中国专利 :CN115528090A ,2022-12-27

[6]

一种微沟槽双栅mosfet器件及制备方法 [P].

卓宁泽 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN118763116A ,2024-10-11

[7]

一种沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

田亮 ;

张清纯 .

中国专利 :CN120813010A ,2025-10-17

[8]

一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件 [P].

付霄荧 ;

衷世雄 ;

钟添宾 .

中国专利 :CN121218661A ,2025-12-26

[9]

一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

张腾 ;

柏松 ;

黄润华 .

中国专利 :CN115148820A ,2022-10-04

[10]

一种提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法 [P].

朱秀梅 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN119133234A ,2024-12-13

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