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一种MOSFET器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211730269.6
申请日：
2022-12-30
公开(公告)号：
CN116031160B
公开(公告)日：
2025-11-21
发明(设计)人：
夏亮
朱治鼎
王蒙
申请人：
深圳市创芯微微电子有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/60
H10D62/10
代理机构：
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325
代理人：
谭果林
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-11-21 | 授权 | 授权 |
| 2024-11-12 | 著录事项变更 | 著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/336变更事项:申请人变更前:深圳市创芯微微电子股份有限公司变更后:深圳市创芯微微电子有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼变更后:518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼 |