一种MOSFET器件的制造方法及其器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610590007.2

申请日：

2016-07-25

公开(公告)号：

CN106098561A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

左义忠曹务臣于博伟贾国迟永欣

申请人：

申请人地址：

132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

毕强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	公开	公开
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690433712 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016105900072 申请日:20160725

共 50 条

[1]

一种IGBT器件的制造方法及其器件 [P].

刘广海 ;

叶武阳 ;

宋宏德 ;

邢文超 ;

贾国 .

中国专利 :CN105977157A ,2016-09-28

[2]

一种MOSFET器件的制造方法及MOSFET器件 [P].

郑金柱 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN110957227A ,2020-04-03

[3]

MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 ;

蔡剑辉 ;

陈治西 ;

刘晨鹤 ;

王曦 .

中国专利 :CN109962106A ,2019-07-02

[4]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

陈志鹏 ;

赖银坤 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358769A ,2025-07-22

[5]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116031160B ,2025-11-21

[6]

MOSFET 器件制造方法以及 MOSFET 器件 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN106449411A ,2017-02-22

[7]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

赖银坤 ;

陈志鹏 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358768A ,2025-07-22

[8]

一种横向MOSFET器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

刘建平 ;

张彦辉 ;

谭桥 ;

尹超 ;

周坤 ;

魏杰 ;

阮新亮 ;

李鹏程 ;

张波 .

中国专利 :CN105161420A ,2015-12-16

[9]

一种MOSFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

李若园 .

中国专利 :CN105529267A ,2016-04-27

[10]

一种MOSFET器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN205845957U ,2016-12-28

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