MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711339158.1

申请日：

2017-12-14

公开(公告)号：

CN109962106A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

刘强俞文杰蔡剑辉陈治西刘晨鹤王曦

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336 H01L2134

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171214
2019-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

MOSFET器件及其制造方法 [P].

施里什·纳拉西姆哈 ;

帕特里夏·奥尼尔 .

中国专利 :CN100442462C ,2006-06-07

[2]

一种MOSFET器件的制造方法及其器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN106098561A ,2016-11-09

[3]

MOSFET器件制造方法以及MOSFET器件 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN106158664A ,2016-11-23

[4]

MOSFET 器件制造方法以及 MOSFET 器件 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN106449411A ,2017-02-22

[5]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[6]

SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈辉 ;

王加坤 .

中国专利 :CN112038234B ,2020-12-04

[7]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

陈志鹏 ;

赖银坤 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358769A ,2025-07-22

[8]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

赖银坤 ;

陈志鹏 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358768A ,2025-07-22

[9]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116031160B ,2025-11-21

[10]

MOSFET器件及其制造方法 [P].

布鲁斯·贝内特·多丽斯 ;

杨美基 ;

赵泽安 ;

王敬 .

中国专利 :CN100479191C ,2007-10-24

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