一种MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510559879.1

申请日：

2025-04-30

公开(公告)号：

CN120358769A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

徐守一陈志鹏赖银坤蔡铭进

申请人：

厦门芯达茂微电子有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市集美区灌口镇金辉西路8-4号之二

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D62/00 H10D62/10 H10D62/832 H10D64/01 H10D64/27

代理机构：

厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234

代理人：

曾启航

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250430

共 50 条

[1]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

赖银坤 ;

陈志鹏 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358768A ,2025-07-22

[2]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116031160B ,2025-11-21

[3]

一种MOSFET器件的制造方法及其器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN106098561A ,2016-11-09

[4]

一种SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘馥 .

中国专利 :CN115565884A ,2023-01-03

[5]

一种MOSFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

李若园 .

中国专利 :CN105529267A ,2016-04-27

[6]

MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 ;

蔡剑辉 ;

陈治西 ;

刘晨鹤 ;

王曦 .

中国专利 :CN109962106A ,2019-07-02

[7]

一种SiC MOSFET器件元胞及其制造方法 [P].

易波 ;

伍争 ;

魏文静 ;

张千 ;

向勇 .

中国专利 :CN112086507A ,2020-12-15

[8]

一种沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

李承杰 ;

代萌 ;

陆彬彬 ;

周佛坤 .

:CN118156312A ,2024-06-07

[9]

一种MOSFET器件的制造方法及MOSFET器件 [P].

郑金柱 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN110957227A ,2020-04-03

[10]

MOSFET 器件制造方法以及 MOSFET 器件 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN106449411A ,2017-02-22

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