一种MOSFET器件及其制造方法、电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410567958.9

申请日：

2014-10-22

公开(公告)号：

CN105529267A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

李若园

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160427
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662099240 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014105679589 申请日:20141022
2016-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

陈志鹏 ;

赖银坤 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358769A ,2025-07-22

[2]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

赖银坤 ;

陈志鹏 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358768A ,2025-07-22

[3]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116031160B ,2025-11-21

[4]

一种MOSFET器件的制造方法及其器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN106098561A ,2016-11-09

[5]

一种半导体器件及其制造方法、电子装置 [P].

李伟 ;

郝龙 ;

金炎 .

中国专利 :CN105990115A ,2016-10-05

[6]

一种SiC MOSFET器件结构及其制造方法 [P].

徐守一 ;

涂国华 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN117613096A ,2024-02-27

[7]

MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 ;

蔡剑辉 ;

陈治西 ;

刘晨鹤 ;

王曦 .

中国专利 :CN109962106A ,2019-07-02

[8]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

张帅 ;

杨晓芳 .

中国专利 :CN106816406A ,2017-06-09

[9]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

徐建华 ;

邓浩 .

中国专利 :CN109872949B ,2019-06-11

[10]

一种高阈值SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN114530504A ,2022-05-24

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