一种横向MOSFET器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510410002.2

申请日：

2015-07-13

公开(公告)号：

CN105161420A

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2904

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	公开	公开
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642490662 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015104100022 申请日:20150713
2021-07-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20150713 授权公告日:20171013 终止日期:20200713
2017-10-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种槽型横向MOSFET器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

李鹏程 ;

田瑞超 ;

石先龙 ;

范远航 ;

周坤 ;

魏杰 ;

杨超 ;

张波 .

中国专利 :CN104253050B ,2014-12-31

[2]

一种MOSFET器件的制造方法及其器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN106098561A ,2016-11-09

[3]

一种MOSFET器件的制造方法及MOSFET器件 [P].

郑金柱 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN110957227A ,2020-04-03

[4]

一种MOSFET器件及制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120187073B ,2025-09-26

[5]

一种MOSFET器件及制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120187073A ,2025-06-20

[6]

一种LDMOS器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

张彦辉 ;

刘建平 ;

谭桥 ;

尹超 ;

魏杰 ;

周坤 ;

吕孟山 ;

田瑞超 ;

张波 .

中国专利 :CN105304693B ,2016-02-03

[7]

一种LDMOS器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

张彦辉 ;

刘建平 ;

谭桥 ;

尹超 ;

魏杰 ;

周坤 ;

马达 ;

徐青 ;

张波 .

中国专利 :CN105047702B ,2015-11-11

[8]

MOSFET器件制造方法以及MOSFET器件 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN106158664A ,2016-11-23

[9]

SOI横向MOSFET器件 [P].

罗小蓉 ;

弗罗林.乌德雷亚 .

中国专利 :CN101840935B ,2010-09-22

[10]

一种横向高压MOSFET及其制造方法 [P].

乔明 ;

李燕妃 ;

周锌 ;

吴文杰 ;

许琬 ;

陈涛 ;

胡利志 ;

张波 .

中国专利 :CN103413830A ,2013-11-27

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