一种槽型横向MOSFET器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410143064.7

申请日：

2014-04-10

公开(公告)号：

CN104253050B

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

罗小蓉李鹏程田瑞超石先龙范远航周坤魏杰杨超张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227

代理人：

李顺德;王睿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596395794 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014101430647 申请日:20140410
2016-12-21	授权	授权
2014-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种横向MOSFET器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

刘建平 ;

张彦辉 ;

谭桥 ;

尹超 ;

周坤 ;

魏杰 ;

阮新亮 ;

李鹏程 ;

张波 .

中国专利 :CN105161420A ,2015-12-16

[2]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[3]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[4]

一种槽栅MOSFET器件 [P].

李泽宏 ;

陈文梅 ;

李爽 ;

曹晓峰 ;

陈哲 ;

包惠萍 ;

任敏 .

中国专利 :CN105932051A ,2016-09-07

[5]

一种槽型纵向半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

王元刚 ;

姚国亮 ;

雷天飞 ;

葛瑞 ;

陈曦 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN102184856B ,2011-09-14

[6]

制造槽栅型MOSFET器件的方法 [P].

金希大 .

中国专利 :CN101211785B ,2008-07-02

[7]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN207852683U ,2018-09-11

[8]

一种槽型积累层MOSFET器件 [P].

罗小蓉 ;

李鹏程 ;

田瑞超 ;

石先龙 ;

罗尹春 ;

周坤 ;

魏杰 ;

张波 .

中国专利 :CN103928522A ,2014-07-16

[9]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

夏亮 ;

朱治鼎 ;

王蒙 .

中国专利 :CN116031160B ,2025-11-21

[10]

一种具有低导通电阻特性的槽栅MOSFET器件 [P].

李泽宏 ;

陈文梅 ;

李爽 ;

曹晓峰 ;

陈哲 ;

包惠萍 ;

任敏 .

中国专利 :CN105957885A ,2016-09-21

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