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一种MOSFET器件及制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510645699.5
申请日：
2025-05-20
公开(公告)号：
CN120187073A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
许一力 李鑫 刘倩倩
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380
代理人：
刘加龙
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-20 公开 公开
2025-09-26 授权 授权
2025-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250520
共 50 条
[1]
一种MOSFET器件及制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN120187073B ,2025-09-26
[2]
一种MOSFET器件的制造方法及其器件 [P]. 
左义忠 ;
曹务臣 ;
于博伟 ;
贾国 ;
迟永欣 .
中国专利 :CN106098561A ,2016-11-09
[3]
一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120417445B ,2025-09-26
[4]
一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120417445A ,2025-08-01
[5]
一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120882051A ,2025-10-31
[6]
一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120568811A ,2025-08-29
[7]
一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
杨琦 .
中国专利 :CN120568811B ,2025-11-18
[8]
一种MOSFET器件的制造方法及MOSFET器件 [P]. 
郑金柱 ;
李伟聪 ;
林泳浩 .
中国专利 :CN110957227A ,2020-04-03
[9]
一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法 [P]. 
许一力 ;
李鑫 ;
刘倩倩 .
中国专利 :CN120358781A ,2025-07-22
[10]
一种横向MOSFET器件的制造方法 [P]. 
罗小蓉 ;
刘建平 ;
张彦辉 ;
谭桥 ;
尹超 ;
周坤 ;
魏杰 ;
阮新亮 ;
李鹏程 ;
张波 .
中国专利 :CN105161420A ,2015-12-16
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