一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511054785.5

申请日：

2025-07-30

公开(公告)号：

CN120568811B

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

许一力李鑫杨琦

申请人：

杭州清芯微电子有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼8309室（自主申报）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H01L23/367 H10D62/10 H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权
2025-08-29	公开	公开
2025-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250730

共 50 条

[1]

一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120568811A ,2025-08-29

[2]

双面散热功率MOSFET半导体器件 [P].

黄杭 ;

王赵云 .

中国专利 :CN216120276U ,2022-03-22

[3]

功率MOSFET及其制造方法、包括其的半导体器件 [P].

前田大辉 .

中国专利 :CN101154686B ,2008-04-02

[4]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[5]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[6]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

[7]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[8]

功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

H·库拉斯 .

中国专利 :CN104517917B ,2015-04-15

[9]

一种MOSFET功率半导体器件的制备方法 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118486594A ,2024-08-13

[10]

功率半导体器件及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

李光远 ;

徐永浩 ;

马丁·多梅杰 ;

朴金硕 .

中国专利 :CN112397590A ,2021-02-23

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