功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410493453.2
申请日
2014-09-24
公开(公告)号
CN104517917B
公开(公告)日
2015-04-15
发明(设计)人
H·库拉斯
申请人
申请人地址
德国纽伦堡
IPC主分类号
H01L23473
IPC分类号
H01L2158
代理机构
北京市路盛律师事务所 11326
代理人
刘世杰;王桂玲
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
D·特拉塞尔 ;
H·拜尔 ;
M·马利基 .
:CN116830247B ,2024-08-09
[2]
功率半导体器件 [P]. 
朴镇玉 ;
姜男主 ;
宋承昱 ;
李枓炯 ;
李在德 .
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[3]
功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法 [P]. 
英戈·博根 ;
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亚历山大·波佩斯修 ;
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中国专利 :CN104425406B ,2015-03-18
[4]
功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法 [P]. 
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斯特凡·阿尔维斯 ;
阿兰·德朗 ;
布兰迪诺·洛佩斯 ;
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[5]
功率半导体器件和包括其的功率转换器以及功率半导体器件的制造方法 [P]. 
李祜仲 ;
姜男主 .
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[6]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
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[7]
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[8]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P]. 
S·沃思 ;
L·克诺尔 .
:CN120077756A ,2025-05-30
[9]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
洪性兆 ;
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[10]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
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