功率半导体器件和包括其的功率转换器以及功率半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510116269.4

申请日：

2025-01-24

公开(公告)号：

CN120835595A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

李祜仲姜男主

申请人：

LX半导体科技有限公司

申请人地址：

韩国大田市

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/66 H10D30/01 H02M1/00

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器 [P].

李祜仲 ;

姜男主 ;

金东均 ;

洪国泰 ;

黄俊河 .

韩国专利 :CN119698037A ,2025-03-25

[2]

功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器 [P].

李祜仲 .

韩国专利 :CN120187071A ,2025-06-20

[3]

功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器 [P].

李祜仲 ;

金珍坤 ;

李在德 ;

李忠光 .

韩国专利 :CN119630031A ,2025-03-14

[4]

功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器 [P].

李忠光 ;

金珍坤 .

韩国专利 :CN120111937A ,2025-06-06

[5]

功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器 [P].

李祜仲 .

韩国专利 :CN120166755A ,2025-06-17

[6]

功率半导体器件及包括其的功率转换器 [P].

李忠光 ;

金珍坤 .

韩国专利 :CN120187056A ,2025-06-20

[7]

功率半导体模块和包括该功率半导体模块的功率转换器 [P].

李仁焕 ;

金德秀 ;

金泰龙 .

韩国专利 :CN120184107A ,2025-06-20

[8]

功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

H·库拉斯 .

中国专利 :CN104517917B ,2015-04-15

[9]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[10]

功率半导体器件 [P].

朴镇玉 ;

姜男主 ;

宋承昱 ;

李枓炯 ;

李在德 .

韩国专利 :CN119907281A ,2025-04-29

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