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功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411869266.X
申请日：
2024-12-18
公开(公告)号：
CN120187071A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
李祜仲
申请人：
LX半导体科技有限公司
申请人地址：
韩国大田广域市
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01 H02M1/00 H02M7/00 H02M7/537
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
杨雪玲;原宏宇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-20 公开 公开
共 50 条
[1]
功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器 [P]. 
李祜仲 ;
姜男主 ;
金东均 ;
洪国泰 ;
黄俊河 .
韩国专利 :CN119698037A ,2025-03-25
[2]
功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器 [P]. 
李忠光 ;
金珍坤 .
韩国专利 :CN120111937A ,2025-06-06
[3]
功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器 [P]. 
李祜仲 ;
金珍坤 ;
李在德 ;
李忠光 .
韩国专利 :CN119630031A ,2025-03-14
[4]
功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器 [P]. 
李祜仲 .
韩国专利 :CN120166755A ,2025-06-17
[5]
功率半导体器件和包括其的功率转换器以及功率半导体器件的制造方法 [P]. 
李祜仲 ;
姜男主 .
韩国专利 :CN120835595A ,2025-10-24
[6]
功率半导体器件及包括其的功率转换器 [P]. 
李忠光 ;
金珍坤 .
韩国专利 :CN120187056A ,2025-06-20
[7]
功率半导体模块和包括该功率半导体模块的功率转换器 [P]. 
李仁焕 ;
金德秀 ;
金泰龙 .
韩国专利 :CN120184107A ,2025-06-20
[8]
半导体功率转换器件 [P]. 
梓泽升 ;
立川真 ;
椙山繁 ;
国井启次 .
中国专利 :CN1072410C ,1998-07-01
[9]
功率半导体器件及制造该功率半导体器件的方法 [P]. 
黄瑄珪 ;
金钟燮 .
中国专利 :CN115148793A ,2022-10-04
[10]
半导体器件和功率转换器 [P]. 
小嶋勇介 ;
横井芳彦 .
中国专利 :CN108242804A ,2018-07-03
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