一种横向高压MOSFET及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310356773.9

申请日：

2013-08-16

公开(公告)号：

CN103413830A

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

乔明李燕妃周锌吴文杰许琬陈涛胡利志张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227

代理人：

李顺德;王睿

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101704285381 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103567739 变更事项:申请人变更前权利人:电子科技大学变更后权利人:电子科技大学变更事项:地址变更前权利人:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更后权利人:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:东莞电子科技大学电子信息工程研究院登记生效日:20140801
2016-08-31	授权	授权
2013-11-27	公开	公开
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101555330245 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103567739 申请日:20130816

共 50 条

[1]

一种横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

李燕妃 ;

周锌 ;

许琬 ;

吴文杰 ;

陈涛 ;

胡利志 ;

张波 .

中国专利 :CN103413831A ,2013-11-27

[2]

横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

代刚 ;

王裕如 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN105070754A ,2015-11-18

[3]

横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

王裕如 ;

代刚 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN105161538A ,2015-12-16

[4]

一种横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

李燕妃 ;

王裕如 ;

叶珂 ;

周锌 ;

张波 .

中国专利 :CN103904121A ,2014-07-02

[5]

横向高压器件及其制造方法 [P].

袁章亦安 .

中国专利 :CN118763109A ,2024-10-11

[6]

横向高压器件及其制造方法 [P].

唐纳徳·迪斯尼 ;

欧力杰·米力克 .

中国专利 :CN102751330A ,2012-10-24

[7]

一种横向MOSFET器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

刘建平 ;

张彦辉 ;

谭桥 ;

尹超 ;

周坤 ;

魏杰 ;

阮新亮 ;

李鹏程 ;

张波 .

中国专利 :CN105161420A ,2015-12-16

[8]

一种横向高压MOS器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

李燕妃 ;

代刚 ;

文帅 ;

周锌 ;

张波 .

中国专利 :CN103915503A ,2014-07-09

[9]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

苗东铭 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 ;

李维 ;

王章 ;

杭朝阳 .

中国专利 :CN119300391A ,2025-01-10

[10]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

苗东铭 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 ;

李维 ;

王章 ;

杭朝阳 .

中国专利 :CN119300391B ,2025-10-24

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