一种MOSFET结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411373313.1

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN119300391A

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

苗东铭杨世红徐永年李小红李维王章杭朝阳

申请人：

陕西亚成微电子股份有限公司

申请人地址：

710199 陕西省西安市高新区上林苑一路15号光子芯片硬科技企业社区6幢

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D62/10

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

王少文

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-10-24	授权	授权
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20240929

共 50 条

[1]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

苗东铭 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 ;

李维 ;

王章 ;

杭朝阳 .

中国专利 :CN119300391B ,2025-10-24

[2]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN104576338A ,2015-04-29

[3]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

李睿 ;

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104576390A ,2015-04-29

[4]

MOSFET结构及其制造方法 [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873036B ,2019-06-11

[5]

一种低导通电阻分离栅MOSFET芯片及其制造方法 [P].

吴昊 ;

陆亚斌 ;

王成 .

中国专利 :CN115332337A ,2022-11-11

[6]

一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王彩琳 ;

孙丞 .

中国专利 :CN101540338A ,2009-09-23

[7]

一种MOSFET制造方法和MOSFET结构 [P].

杨勇 .

中国专利 :CN112002675A ,2020-11-27

[8]

MOSFET终端结构及其制造方法 [P].

高文玉 ;

郎金荣 ;

陶有飞 ;

刘启星 .

中国专利 :CN104882382B ,2015-09-02

[9]

沟槽MOSFET结构及其制造方法 [P].

王加坤 .

中国专利 :CN111129152A ,2020-05-08

[10]

一种超级结MOSFET及其制造方法 [P].

杨晓磊 ;

张跃 ;

柏松 ;

杨勇 ;

黄润华 ;

张腾 .

中国专利 :CN118571946A ,2024-08-30

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