一种MOSFET结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310480377.7

申请日：

2013-10-15

公开(公告)号：

CN104576390A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

李睿尹海洲刘云飞

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	公开	公开
2018-04-03	授权	授权
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611418838 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013104803777 申请日:20131015

共 50 条

[1]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 .

中国专利 :CN104576376A ,2015-04-29

[2]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN104576338A ,2015-04-29

[3]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN103606524B ,2014-02-26

[4]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

张珂珂 .

中国专利 :CN104347707B ,2015-02-11

[5]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

何颖 .

中国专利 :CN106298542A ,2017-01-04

[6]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 .

中国专利 :CN104576378B ,2015-04-29

[7]

一种非对称FinFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

张珂珂 .

中国专利 :CN104576382B ,2015-04-29

[8]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 .

中国专利 :CN104576379A ,2015-04-29

[9]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN104576377A ,2015-04-29

[10]

一种FINFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104576384A ,2015-04-29

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