一种MOSFET结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310476519.2

申请日：

2013-10-13

公开(公告)号：

CN104576377A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

尹海洲李睿

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611386654 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013104765192 申请日:20131013
2018-09-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150429
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 .

中国专利 :CN104576379A ,2015-04-29

[2]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 .

中国专利 :CN104576376A ,2015-04-29

[3]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

李睿 ;

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104576390A ,2015-04-29

[4]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

张珂珂 .

中国专利 :CN104347707B ,2015-02-11

[5]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN104576338A ,2015-04-29

[6]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN103606524B ,2014-02-26

[7]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

何颖 .

中国专利 :CN106298542A ,2017-01-04

[8]

一种SiC MOSFET结构及其制造方法 [P].

刘启军 ;

宋瓘 ;

罗烨辉 ;

何启鸣 ;

王亚飞 ;

姚尧 ;

李诚瞻 ;

肖强 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN119050156B ,2025-12-12

[9]

一种SiC MOSFET结构及其制造方法 [P].

刘启军 ;

宋瓘 ;

罗烨辉 ;

何启鸣 ;

王亚飞 ;

姚尧 ;

李诚瞻 ;

肖强 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN119050156A ,2024-11-29

[10]

一种MOSFET结构及其制造方法 [P].

苗东铭 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 ;

李维 ;

王章 ;

杭朝阳 .

中国专利 :CN119300391A ,2025-01-10

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