MOSFET终端结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510256681.2

申请日：

2015-05-19

公开(公告)号：

CN104882382B

公开(公告)日：

2015-09-02

发明(设计)人：

高文玉郎金荣陶有飞刘启星

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区虹漕路385号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940 H01L2978

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

薛琦;王婧荷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627826550 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015102566812 申请日:20150519
2018-01-12	授权	授权
2015-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN111613673A ,2020-09-01

[2]

一种IGBT终端结构及其制造方法 [P].

王耀华 ;

赵哿 ;

李立 .

中国专利 :CN104934469B ,2015-09-23

[3]

MOSFET结构及其制造方法 [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873036B ,2019-06-11

[4]

MOSFET 终端结构 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN209461470U ,2019-10-01

[5]

深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN112951914B ,2024-09-03

[6]

深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN112951914A ,2021-06-11

[7]

超高压MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120166736A ,2025-06-17

[8]

低压超结MOSFET终端结构及其制造方法 [P].

刘挺 ;

杨乐 ;

岳玲 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN105655402B ,2016-06-08

[9]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

张军亮 ;

刘琦 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN110797263A ,2020-02-14

[10]

一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法 [P].

王新 .

中国专利 :CN103295911A ,2013-09-11

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