MOSFET 终端结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920234661.9

申请日：

2019-02-25

公开(公告)号：

CN209461470U

公开(公告)日：

2019-10-01

发明(设计)人：

罗志云王飞潘梦瑜

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297

代理人：

赵霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN111613673A ,2020-09-01

[2]

深沟槽MOSFET终端结构 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN211182215U ,2020-08-04

[3]

一种功率MOSFET的沟槽终端结构 [P].

王新 .

中国专利 :CN203260588U ,2013-10-30

[4]

MOSFET终端结构及其制造方法 [P].

高文玉 ;

郎金荣 ;

陶有飞 ;

刘启星 .

中国专利 :CN104882382B ,2015-09-02

[5]

量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构 [P].

王新 .

中国专利 :CN203277388U ,2013-11-06

[6]

深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN112951914B ,2024-09-03

[7]

深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法 [P].

罗志云 ;

王飞 ;

潘梦瑜 .

中国专利 :CN112951914A ,2021-06-11

[8]

一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法 [P].

王新 .

中国专利 :CN103295911A ,2013-09-11

[9]

MOSFET功率器件的终端结构 [P].

张海涛 ;

陈智勇 ;

孙娜 .

中国专利 :CN203707142U ,2014-07-09

[10]

一种MOSFET终端结构 [P].

代萌 ;

李承杰 ;

顾嘉庆 .

中国专利 :CN213071150U ,2021-04-27

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