一种IGBT器件的制造方法及其器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610589984.0

申请日：

2016-07-25

公开(公告)号：

CN105977157A

公开(公告)日：

2016-09-28

发明(设计)人：

刘广海叶武阳宋宏德邢文超贾国

申请人：

申请人地址：

132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L29739 H01L2906

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

毕强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101684684665 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2016105899840 申请日:20160725
2016-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOSFET器件的制造方法及其器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN106098561A ,2016-11-09

[2]

一种IGBT器件 [P].

刘广海 ;

叶武阳 ;

宋宏德 ;

邢文超 ;

贾国 .

中国专利 :CN205845958U ,2016-12-28

[3]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[4]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[5]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

李伟 ;

高苗苗 ;

段卫宁 ;

梁为住 .

中国专利 :CN118712218B ,2024-11-12

[6]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

李伟 ;

高苗苗 ;

段卫宁 ;

梁为住 .

中国专利 :CN118712218A ,2024-09-27

[7]

IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

姚毅 .

中国专利 :CN111785628A ,2020-10-16

[8]

IGBT器件的制造方法 [P].

栾宁 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119653799A ,2025-03-18

[9]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04

[10]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN119562568A ,2025-03-04

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