一种IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411210616.1

申请日：

2024-08-30

公开(公告)号：

CN118712218B

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

李伟高苗苗段卫宁梁为住

申请人：

深圳市冠禹半导体有限公司

申请人地址：

518100 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区泰华梧桐工业园雨水（2A）栋3层

IPC主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/08 H01L29/06 H01L21/331

代理机构：

深圳维启专利代理有限公司 44827

代理人：

林鼎佑

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20240830
2024-09-27	公开	公开
2024-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

李伟 ;

高苗苗 ;

段卫宁 ;

梁为住 .

中国专利 :CN118712218A ,2024-09-27

[2]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[3]

IGBT器件的制造方法 [P].

栾宁 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119653799A ,2025-03-18

[4]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04

[5]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN109713036A ,2019-05-03

[6]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069B ,2024-03-15

[7]

一种IGBT器件的制造方法及其器件 [P].

刘广海 ;

叶武阳 ;

宋宏德 ;

邢文超 ;

贾国 .

中国专利 :CN105977157A ,2016-09-28

[8]

IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

姚毅 .

中国专利 :CN111785628A ,2020-10-16

[9]

IGBT器件结构及其制备方法 [P].

温世达 ;

陶少勇 ;

吕磊 ;

曹新明 .

中国专利 :CN110854186A ,2020-02-28

[10]

IGBT器件结构及其制备方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN119300377A ,2025-01-10

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