一种IGBT器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201711022067.5
申请日
2017-10-26
公开(公告)号
CN109713036A
公开(公告)日
2019-05-03
发明(设计)人
刘剑
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L29739
IPC分类号
H01L21331 H01L2906
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
翟海青;高伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
李伟 ;
高苗苗 ;
段卫宁 ;
梁为住 .
中国专利 :CN118712218B ,2024-11-12
[2]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
李伟 ;
高苗苗 ;
段卫宁 ;
梁为住 .
中国专利 :CN118712218A ,2024-09-27
[3]
IGBT器件的制造方法 [P]. 
栾宁 ;
曾大杰 .
中国专利 :CN119653799A ,2025-03-18
[4]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
秦旭光 ;
黄继颇 ;
陆均尧 .
中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04
[5]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
刘磊 ;
王鹏飞 .
中国专利 :CN119562568A ,2025-03-04
[6]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
秦旭光 ;
黄继颇 ;
陆均尧 .
中国专利 :CN107994069B ,2024-03-15
[7]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
刘磊 ;
王鹏飞 .
中国专利 :CN119562567A ,2025-03-04
[8]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
李伟聪 ;
姜春亮 ;
雷秀芳 .
中国专利 :CN114093934B ,2022-02-25
[9]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
赵树峰 ;
裴轶 .
中国专利 :CN106252398B ,2016-12-21
[10]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
范让萱 ;
缪进征 ;
王鹏飞 ;
刘磊 ;
龚轶 .
中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28