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一种IGBT器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311106025.5
申请日：
2023-08-30
公开(公告)号：
CN119562568A
公开(公告)日：
2025-03-04
发明(设计)人：
刘磊 王鹏飞
申请人：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D12/00 H10D12/01
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
朱彩银
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-04 公开 公开
2025-03-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20230830
共 50 条
[1]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
刘磊 ;
王鹏飞 .
中国专利 :CN119562567A ,2025-03-04
[2]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
石晶 .
中国专利 :CN106057879A ,2016-10-26
[3]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
范让萱 ;
缪进征 ;
王鹏飞 ;
刘磊 ;
龚轶 .
中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28
[4]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
潘嘉 ;
杨继业 .
中国专利 :CN118098961A ,2024-05-28
[5]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
曹功勋 .
中国专利 :CN118888446A ,2024-11-01
[6]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
李伟 ;
高苗苗 ;
段卫宁 ;
梁为住 .
中国专利 :CN118712218B ,2024-11-12
[7]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
秦旭光 ;
黄继颇 ;
陆均尧 .
中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04
[8]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
李伟 ;
高苗苗 ;
段卫宁 ;
梁为住 .
中国专利 :CN118712218A ,2024-09-27
[9]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
叶俊雅 ;
曹功勋 .
中国专利 :CN119835954A ,2025-04-15
[10]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
叶俊雅 ;
曹功勋 .
中国专利 :CN119403146A ,2025-02-07
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