IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411479786.X

申请日：

2024-10-22

公开(公告)号：

CN119403146A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

叶俊雅曹功勋

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H10D12/01

IPC分类号：

H10D12/00 H10D64/66 H01L21/321 H01L21/283

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

陈丽丽

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/01申请日:20241022

共 50 条

[1]

IGBT器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106057879A ,2016-10-26

[2]

IGBT器件及其制造方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118888446A ,2024-11-01

[3]

IGBT器件及其制造方法 [P].

叶俊雅 ;

曹功勋 .

中国专利 :CN119835954A ,2025-04-15

[4]

IGBT器件及其制造方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN119403147A ,2025-02-07

[5]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[6]

IGBT器件及其制造方法 [P].

陈为真 .

中国专利 :CN118969827A ,2024-11-15

[7]

IGBT器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111293168A ,2020-06-16

[8]

IGBT器件及其制造方法 [P].

陈为真 .

中国专利 :CN118969827B ,2025-10-17

[9]

复合沟道IGBT器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

叶鹏 ;

童鑫 ;

徐浩 ;

刘倩 .

中国专利 :CN111341843A ,2020-06-26

[10]

IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

姚毅 .

中国专利 :CN111785628A ,2020-10-16

← 1 2 3 4 5 →