IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811502349.X

申请日：

2018-12-10

公开(公告)号：

CN111293168A

公开(公告)日：

2020-06-16

发明(设计)人：

李东升

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2906 H01L29739 H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-16	公开	公开
2020-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20181210

共 50 条

[1]

IGBT器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106057879A ,2016-10-26

[2]

IGBT器件及其制造方法 [P].

叶俊雅 ;

曹功勋 .

中国专利 :CN119403146A ,2025-02-07

[3]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[4]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[5]

IGBT器件的制造方法 [P].

栾宁 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119653799A ,2025-03-18

[6]

一种碳化硅IGBT器件及其制造方法 [P].

邓小川 ;

郭国强 ;

成志杰 ;

李旭 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN115425065A ,2022-12-02

[7]

IGBT器件及其制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118098961A ,2024-05-28

[8]

IGBT器件及其制造方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118888446A ,2024-11-01

[9]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[10]

IGBT器件及其制造方法 [P].

叶俊雅 ;

曹功勋 .

中国专利 :CN119835954A ,2025-04-15

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