IGBT器件的制造方法及IGBT器件

被引：0

申请号：

CN202210515987.5

申请日：

2022-05-12

公开(公告)号：

CN114628247A

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

赵东艳王于波陈燕宁付振张泉尹强肖超田俊杨毓龙

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21331 H01L29423 H01L2949 H01L29739

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

李红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20220512
2022-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN120111912A ,2025-06-06

[2]

IGBT器件的制造方法 [P].

栾宁 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119653799A ,2025-03-18

[3]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[4]

IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

姚毅 .

中国专利 :CN111785628A ,2020-10-16

[5]

IGBT器件 [P].

王修中 ;

李强 ;

邢文超 ;

孙喆禹 .

中国专利 :CN209016063U ,2019-06-21

[6]

IGBT器件及制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

卢烁今 ;

许洁 ;

张鹏 .

中国专利 :CN117393592A ,2024-01-12

[7]

一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P].

李承贤 .

中国专利 :CN118899219A ,2024-11-05

[8]

IGBT器件结构及制备方法 [P].

沈华 .

中国专利 :CN102074575A ,2011-05-25

[9]

IGBT器件及其制造方法 [P].

叶俊雅 ;

曹功勋 .

中国专利 :CN119403146A ,2025-02-07

[10]

IGBT器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111293168A ,2020-06-16

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