一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410989650.7

申请日：

2024-07-23

公开(公告)号：

CN118899219A

公开(公告)日：

2024-11-05

发明(设计)人：

李承贤

申请人：

穆棱市北一半导体科技有限公司

申请人地址：

157516 黑龙江省牡丹江市穆棱市经济开发区科技孵化园2号

IPC主分类号：

H01L21/331

IPC分类号：

H01L21/28 H01L29/423 H01L29/739

代理机构：

哈尔滨市晨晟知识产权代理有限公司 23219

代理人：

刘坤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/331申请日:20240723
2024-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种IGBT器件及其制作方法 [P].

金明星 .

中国专利 :CN118983335A ,2024-11-19

[2]

IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P].

颜天才 ;

钟育腾 ;

吕昆谚 ;

黄任生 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN116721918B ,2024-12-27

[3]

一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

李进吉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN117198876B ,2025-05-06

[4]

IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P].

吕昆谚 ;

黄任生 ;

颜天才 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN117253790B ,2024-02-09

[5]

IGBT器件和制作方法 [P].

王修中 ;

李强 ;

邢文超 ;

孙喆禹 .

中国专利 :CN109659360A ,2019-04-19

[6]

IGBT器件的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

冯超 .

中国专利 :CN111883423A ,2020-11-03

[7]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[8]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN120111912A ,2025-06-06

[9]

IGBT器件的终端结构、制作方法及IGBT器件 [P].

莫松劲 ;

徐泉 .

中国专利 :CN119922959A ,2025-05-02

[10]

一种沟槽IGBT器件结构的制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105938798A ,2016-09-14

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