一种IGBT器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411076297.X
申请日
2024-08-07
公开(公告)号
CN118983335A
公开(公告)日
2024-11-19
发明(设计)人
金明星
申请人
北一半导体科技(广东)有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然五路12号天安数码城天祥大厦十层B1-B2
IPC主分类号
H01L29/739
IPC分类号
H01L29/49 H01L21/331
代理机构
北京牛思巴巴知识产权代理有限公司 16203
代理人
张姗姗
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P]. 
李承贤 .
中国专利 :CN118899219A ,2024-11-05
[2]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12
[3]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12
[4]
IGBT器件和制作方法 [P]. 
王修中 ;
李强 ;
邢文超 ;
孙喆禹 .
中国专利 :CN109659360A ,2019-04-19
[5]
IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
曹功勋 .
中国专利 :CN118448263A ,2024-08-06
[6]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
叶俊雅 ;
洪智强 .
中国专利 :CN119815849A ,2025-04-11
[7]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
张景超 ;
戚丽娜 ;
井亚会 ;
林茂 ;
俞义长 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN114678410B ,2025-08-22
[8]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
张景超 ;
戚丽娜 ;
井亚会 ;
林茂 ;
俞义长 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN114678410A ,2022-06-28
[9]
一种IGBT器件及其制作方法 [P]. 
刘志博 ;
陈天 ;
肖莉 ;
王黎 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN118588556A ,2024-09-03
[10]
一种可快速关断的IGBT器件及其制作方法 [P]. 
程炜涛 ;
姚阳 .
中国专利 :CN118943174A ,2024-11-12