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一种IGBT器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411076297.X
申请日
:
2024-08-07
公开(公告)号
:
CN118983335A
公开(公告)日
:
2024-11-19
发明(设计)人
:
金明星
申请人
:
北一半导体科技(广东)有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然五路12号天安数码城天祥大厦十层B1-B2
IPC主分类号
:
H01L29/739
IPC分类号
:
H01L29/49
H01L21/331
代理机构
:
北京牛思巴巴知识产权代理有限公司 16203
代理人
:
张姗姗
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-06
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20240807
2024-11-19
公开
公开
共 50 条
[1]
一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件
[P].
李承贤
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
穆棱市北一半导体科技有限公司
穆棱市北一半导体科技有限公司
李承贤
.
中国专利
:CN118899219A
,2024-11-05
[2]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法
[P].
许高潮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
无锡紫光微电子有限公司
无锡紫光微电子有限公司
许高潮
;
薛璐
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
无锡紫光微电子有限公司
无锡紫光微电子有限公司
薛璐
;
张海涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
无锡紫光微电子有限公司
无锡紫光微电子有限公司
张海涛
.
中国专利
:CN109461769B
,2024-03-12
[3]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法
[P].
许高潮
论文数:
0
引用数:
0
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0
许高潮
;
薛璐
论文数:
0
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0
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0
薛璐
;
张海涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
张海涛
.
中国专利
:CN109461769A
,2019-03-12
[4]
IGBT器件和制作方法
[P].
王修中
论文数:
0
引用数:
0
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0
王修中
;
李强
论文数:
0
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0
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0
李强
;
邢文超
论文数:
0
引用数:
0
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0
邢文超
;
孙喆禹
论文数:
0
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0
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0
孙喆禹
.
中国专利
:CN109659360A
,2019-04-19
[5]
IGBT器件结构及其制作方法
[P].
曹功勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
曹功勋
.
中国专利
:CN118448263A
,2024-08-06
[6]
IGBT器件及其制作方法
[P].
叶俊雅
论文数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
叶俊雅
;
洪智强
论文数:
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0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
洪智强
.
中国专利
:CN119815849A
,2025-04-11
[7]
IGBT器件及其制作方法
[P].
张景超
论文数:
0
引用数:
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0
机构:
江苏宏微科技股份有限公司
江苏宏微科技股份有限公司
张景超
;
戚丽娜
论文数:
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机构:
江苏宏微科技股份有限公司
江苏宏微科技股份有限公司
戚丽娜
;
井亚会
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机构:
江苏宏微科技股份有限公司
江苏宏微科技股份有限公司
井亚会
;
林茂
论文数:
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机构:
江苏宏微科技股份有限公司
江苏宏微科技股份有限公司
林茂
;
俞义长
论文数:
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0
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机构:
江苏宏微科技股份有限公司
江苏宏微科技股份有限公司
俞义长
;
赵善麒
论文数:
0
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0
机构:
江苏宏微科技股份有限公司
江苏宏微科技股份有限公司
赵善麒
.
中国专利
:CN114678410B
,2025-08-22
[8]
IGBT器件及其制作方法
[P].
张景超
论文数:
0
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张景超
;
戚丽娜
论文数:
0
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戚丽娜
;
井亚会
论文数:
0
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0
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井亚会
;
林茂
论文数:
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0
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林茂
;
俞义长
论文数:
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0
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俞义长
;
赵善麒
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵善麒
.
中国专利
:CN114678410A
,2022-06-28
[9]
一种IGBT器件及其制作方法
[P].
刘志博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
刘志博
;
陈天
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈天
;
肖莉
论文数:
0
引用数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
肖莉
;
王黎
论文数:
0
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王黎
;
陈华伦
论文数:
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈华伦
.
中国专利
:CN118588556A
,2024-09-03
[10]
一种可快速关断的IGBT器件及其制作方法
[P].
程炜涛
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
上海埃积半导体有限公司
上海埃积半导体有限公司
程炜涛
;
姚阳
论文数:
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引用数:
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机构:
上海埃积半导体有限公司
上海埃积半导体有限公司
姚阳
.
中国专利
:CN118943174A
,2024-11-12
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