一种可快速关断的IGBT器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411433033.5
申请日
2024-10-15
公开(公告)号
CN118943174A
公开(公告)日
2024-11-12
发明(设计)人
程炜涛 姚阳
申请人
上海埃积半导体有限公司
申请人地址
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区博霞路22号、亮秀路9号412室
IPC主分类号
H01L29/739
IPC分类号
H01L29/06 H01L21/331
代理机构
上海硕力知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31251
代理人
童素珠
法律状态
公开
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
一种IGBT器件及其制作方法 [P]. 
金明星 .
中国专利 :CN118983335A ,2024-11-19
[2]
一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P]. 
李承贤 .
中国专利 :CN118899219A ,2024-11-05
[3]
IGBT器件和制作方法 [P]. 
王修中 ;
李强 ;
邢文超 ;
孙喆禹 .
中国专利 :CN109659360A ,2019-04-19
[4]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
程炜涛 ;
姚阳 .
中国专利 :CN120111911A ,2025-06-06
[5]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
谈景飞 ;
朱阳军 ;
王波 ;
张文亮 ;
褚为利 .
中国专利 :CN103681817B ,2014-03-26
[6]
IGBT器件的制作方法 [P]. 
潘嘉 ;
杨继业 ;
冯超 .
中国专利 :CN111883423A ,2020-11-03
[7]
IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
曹功勋 .
中国专利 :CN118448263A ,2024-08-06
[8]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12
[9]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12
[10]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
叶俊雅 ;
洪智强 .
中国专利 :CN119815849A ,2025-04-11