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一种半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510276176.8
申请日：
2025-03-10
公开(公告)号：
CN120111911A
公开(公告)日：
2025-06-06
发明(设计)人：
程炜涛 姚阳
申请人：
上海埃积半导体有限公司
申请人地址：
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区博霞路22号、亮秀路9号412室
IPC主分类号：
H10D12/01
IPC分类号：
H10D12/00 H10D62/10
代理机构：
上海硕力知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31251
代理人：
童素珠
法律状态：
公开
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-06 公开 公开
2025-06-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/01申请日:20250310
共 50 条
[1]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘国友 ;
覃荣震 ;
黄建伟 ;
张泉 ;
朱利恒 ;
戴小平 .
中国专利 :CN106684134A ,2017-05-17
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
禹国宾 .
中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
左义忠 ;
杨寿国 ;
高宏伟 ;
邢文超 .
中国专利 :CN109686782B ,2019-04-26
[4]
半导体器件的制作方法 [P]. 
张栋 .
中国专利 :CN106558557A ,2017-04-05
[5]
半导体器件的制作方法 [P]. 
宁先捷 .
中国专利 :CN102097382B ,2011-06-15
[6]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN105633149A ,2016-06-01
[7]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN105633150A ,2016-06-01
[8]
半导体器件的基底及其制作方法和半导体器件 [P]. 
马万里 ;
赵圣哲 ;
李理 .
中国专利 :CN107346729A ,2017-11-14
[9]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
李伟 ;
高苗苗 .
中国专利 :CN115579337A ,2023-01-06
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
严强生 ;
崔燕雯 .
中国专利 :CN120264794A ,2025-07-04
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