半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210492757.8

申请日：

2012-11-27

公开(公告)号：

CN103839983B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

禹国宾

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2128 H01L21316

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583464466 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012104927578 申请日:20121127
2017-08-25	授权	授权
2014-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制作方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN102097382B ,2011-06-15

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡守时 ;

陈永南 ;

房世林 .

中国专利 :CN105336750B ,2016-02-17

[3]

沟槽型半导体器件及其制作方法 [P].

何云 ;

焦伟 .

中国专利 :CN105789043B ,2016-07-20

[4]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

马燕春 .

中国专利 :CN104517841B ,2015-04-15

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910B ,2024-07-26

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

丁文波 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113206010A ,2021-08-03

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

黄艳 ;

赵晓燕 ;

钟鹏 .

中国专利 :CN117542795B ,2024-05-10

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

黄艳 ;

赵晓燕 ;

钟鹏 .

中国专利 :CN117542795A ,2024-02-09

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN104716172A ,2015-06-17

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910A ,2020-05-26

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